マテリアル先端リサーチインフラ事業（ARIM）として、学生研修プログラム（全47テーマ）の参加者を募集しています。
https://nanonet.mext.go.jp/page/gakusei_2024.html

その中で当研究所では、「MOS キャパシタの作製・評価とトランジスタの測定実習」を、下記のとおり開催いたします。
■期間：　2024年7月22日(月) 〜 24日(水）3日間
■場所：　広島大学半導体産業技術研究所
http://www.rnbs.hiroshima-u.ac.jp/

■内容：シリコンウェーハ上にMOSキャパシタを作製しC-V特性等を測定して、不純物濃度やCFB、VFB、固定電荷を求める。安全講習受講後、クリーンルーム内にてMOSキャパシタの作製をおこなうことにより、ウェーハの洗浄、酸化膜の形成、Alスパッタによる表電極の形成、レジスト塗布、PMA処理などを学習する。作製した電極面積と膜厚の測定およびインピーダンス・アナライザによるC-V特性の測定を行う。また、ウェーハ上のFETトランジスタについて、半導体パラメータ・アナライザによる測定・評価方法も学習する。

関心をお持ちの方々の参加を歓迎致します。
パンフレットはこちら(pdf形式)

■参加費：無料、　旅費＆宿泊費：支給
■お申し込み方法：Web: https://forms.office.com/r/6VZXrGqTQ1　から
応募申込書に必要事項を記入の上、送信してください。
■応募締切：2024年5月31日（金)
■参加者確定：6月中旬
■報告書：所定の様式にて報告書を提出していただきます。
■成果発表会：
日時：2024年9月24日（火）
場所：つくば国際会議場 https://www.epochal.or.jp/
■お問合せ： マテリアル先端リサーチインフラ　学生研修プログラム事務局
（国立研究開発法人物質・材料研究機構 ARIMセンターハブ運営室内）
E-mail：　NPF_koubo@ml.nims.go.jp
電話：　029-859-2777（ 平日：9：00-12：00，13：00-17：00 ）
または、
（担当：　山田 真司）
広島大学半導体産業技術研究所
Web: http://www.rnbs.hiroshima-u.ac.jp/（研究所）