2026年度 半導体CMOS実践プログラムを2026年7月27日(月)～8月1日(土）の6日間日程で開催します。
本プログラム参加者を下記要領で募集いたします。

実習テｰマ ： CMOSトランジスタ・IC作製実習
期 間 ： 2026年7月27日(月)～8月1日(土）6日間
募集人員 ： 10名（参加費： 10万円）
受講方法 ： 現地での実習・講義となります。
場 所 ： 広島大学半導体産業技術研究所 RISE
（スーパークリーンルーム（最高クラス10、フロア面積830m2）使用）

研修内容：NMOS、PMOSトランジスタを用いたCMOS集積回路の試作実習を通じてプロセス基礎技術とトランジスタ・回路の基本技術全体を学びます。イオン注入、酸化、リソグラフィー、エッチングなど基本技術を学びます。作製する回路は、CMOSインバータを基本とするリングオシレータ、SRAMなど。時間短縮のためN-ウェル形成まではあらかじめ準備します。受講生はトランジスタ回路設計及びデバイス作製を本研究所スタッフと一緒に行い、デバイス作製後はご自身で設計したデバイス・回路の特性評価を行います。これを通して、一貫した作製工程とその知識を学ぶことができます。さらに理解を深めるための講義も行います。

申込方法：
・下記Webページから申し込みください。
　申込締切は6月29日（月）17時です。
　申込の際、志望理由の記載もお願いします。
　https://forms.cloud.microsoft/r/rL2WNDL9J8

選抜方法：
・志望理由により審査を行い選抜します。
採否通知：2026年7月3日（金）

パンフレット：https://rise.hiroshima-u.ac.jp/files/CMOS実践プログラム_2026_pamphlet.pdf

主催：広島大学 半導体産業技術研究所
　　　広島大学 ARIMプロジェクト支援室
共催：広島大学半導体リカレントアカデミー
　　　せとうち半導体コンソーシアム