マテリアル先端リサーチインフラ事業（ARIM）として、学生研修プログラム（全44テーマ）の参加者を募集しています。
https://nanonet.mext.go.jp/page/gakusei_2023.html

その中で当研究所では、「MOS キャパシタの作製・評価とトランジスタの測定実習」を、下記のとおり開催いたします。
■期　間：　２０２３年７月２４日（月）〜２６日(水）３日間
■場　所：　広島大学ナノデバイス研究所　（オンラインも検討中）
http://www.rnbs.hiroshima-u.ac.jp/

内容：シリコンウェーハ上にMOSキャパシタを作製し、
CV特性等を測定して不純物濃度やC_FB、V_FB、固定電荷を求める。
安全講習受講後、クリーンルーム内にてMOSキャパシタの作製をおこなうことにより、
ウェーハの洗浄、酸化膜の形成、Alスパッタによる表電極の形成、レジスト塗布、PMA処理などを学習する。
作製した電極面積と膜厚の測定およびインピーダンス・アナライザによるCV特性の測定を行う。
また、ウェーハ上のFETトランジスタについて、半導体パラメータ・アナライザによる測定・評価方法も学習する。
MOSキャパシタの不純物濃度、C_FB、V_FB、固定電荷の計算は、講義内容に従って持ち帰って行う。

関心をお持ちの方々の参加を歓迎致します。
パンフレットはこちら(pdf形式)

■参加費：無料、　旅費＆宿泊費：支給
■お申し込み方法：Web: https://nanonet.mext.go.jp/mailform.php?code=39　から
応募申込書に必要事項を記入の上、送信してください。
■応募締切：2023年5月31日（水)
■参加者確定：６月中旬
■報告書：所定の様式にて報告書を提出していただきます。
■成果発表会：
日時：２０２３年９月中〜下旬
場所：東京近郊（オンライン併用開催予定）
■お問合せ： マテリアル先端リサーチインフラ　学生研修プログラム事務局
（ 国立研究開発法人　物質・材料研究機構　ARIMセンター運営室内 ）
E-mail：　NPF_koubo@ml.nims.go.jp
電話：　029-859-2777（ 平日：9：00-12：00，13：00-17：00 ）
または、
（担当：　山田 真司）
広島大学ナノデバイス研究所
Web: http://www.rnbs.hiroshima-u.ac.jp/（研究所）