機器一覧

薄膜形成

RO-221
酸化炉 CR
東京エレクトロン
機能及び仕様 Si基板上への熱酸化膜形成,最高使用温度1050℃
対応ウェハ 2 インチ、カットウェハ
機器利用料(円/時間) 3,300
設置場所 CR西棟1F
RO-311
LPCVD装置(Poly-Si用) CR
東京エレクトロン
機能及び仕様 ポリシリコン成膜用,成膜温度635℃
対応ウェハ 2 インチ、カットウェハ
機器利用料(円/時間) 6,600
設置場所 CR西棟1F
RO-312
LPCVD装置(SiN用) CR
東京エレクトロン
機能及び仕様 窒化シリコン成膜用,成膜温度750℃
対応ウェハ 2 インチ、カットウェハ
機器利用料(円/時間) 6,600
設置場所 CR西棟1F
RO-313
LPCVD装置(SiO2用) CR
東京エレクトロン
機能及び仕様 SiO2成膜用,モノシランと一酸化窒素混合モード、TEOS+オゾン の2つのモード可能,最高温度850℃
対応ウェハ 2 インチ、カットウェハ
機器利用料(円/時間) 6,600
設置場所 CR西棟1F
RO-314
常圧SiO2CVD装置 CR
天谷製作所(M01)
機能及び仕様 SiO2成膜用,基板温度400℃,P(リン)のその場ドーピング可能
対応ウェハ 2 インチ
機器利用料(円/時間) 8,800
設置場所 CR西棟1F
RO-315
プラズマCVD(PECVD)装置 CR
アルパック(CPD-1108S)
機能及び仕様 SiO2,SiN薄膜の堆積
対応ウェハ 2 インチ、カットウェハ
機器利用料(円/時間) 8,800
設置場所 CR西棟1F
RO-321
スパッタ装置(Al用) CR
エイコー
機能及び仕様 超高真空仕様,Al及びTi, TiNのスパッタが可能, DCマグネトロン(Ar, N2)
対応ウェハ 2 インチ、カットウェハ
機器利用料(円/時間) 3,850
設置場所 CR西棟1F
RO-322
スパッタ装置(汎用) CR
エイコー
機能及び仕様 各種材料スパッタ用(3インチターゲット交換により広範な材料に対応)スパッタガス(Ar・O2・N2
対応ウェハ 2 インチ、カットウェハ
機器利用料(円/時間) 3,850
設置場所 CR東棟1F
RO-323
スパッタ装置(Cu用) CR
機能及び仕様 Cu成膜用,DCマグネトロン(Ar, H2
対応ウェハ 2 インチ
機器利用料(円/時間) 3,850
設置場所 CR東棟1F
RO-324
多元スパッタ装置 CR
アルネバ(E-200S)
機能及び仕様 Ti, Ni, Nb, TiNのスパッタが可能(スパッタガス Ar・O2・N2
対応ウェハ 2 インチ、カットウェハ
機器利用料(円/時間) 6,600
設置場所 CR東棟1F
RO-331
真空蒸着装置 CR
アルバック
機能及び仕様 抵抗加熱型の蒸着装置。2種類の材料をセットして多層膜を作成することも可能。Al、Au等。
対応ウェハ 2 インチ以下
機器利用料(円/時間) 2,200
設置場所 CR西棟地下

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