機器一覧
薄膜形成
RO-221
酸化炉
CR
東京エレクトロン
機能及び仕様
Si基板上への熱酸化膜形成，最高使用温度1050℃
対応ウェハ
2 インチ、カットウェハ
機器利用料（円/時間）
3,300
設置場所
CR西棟1F
RO-311
LPCVD装置(Poly-Si用)
CR
東京エレクトロン
機能及び仕様
ポリシリコン成膜用，成膜温度635℃
対応ウェハ
2 インチ、カットウェハ
機器利用料（円/時間）
6,600
設置場所
CR西棟1F
RO-312
LPCVD装置(SiN用)
CR
東京エレクトロン
機能及び仕様
窒化シリコン成膜用，成膜温度750℃
対応ウェハ
2 インチ、カットウェハ
機器利用料（円/時間）
6,600
設置場所
CR西棟1F
RO-313
LPCVD装置(SiO2用)
CR
東京エレクトロン
機能及び仕様
SiO2成膜用，モノシランと一酸化窒素混合モード、TEOS+オゾン の２つのモード可能，最高温度850℃
対応ウェハ
2 インチ、カットウェハ
機器利用料（円/時間）
6,600
設置場所
CR西棟1F
RO-314
常圧SiO2CVD装置
CR
天谷製作所(M01)
機能及び仕様
SiO2成膜用，基板温度400℃，P(リン)のその場ドーピング可能
対応ウェハ
2 インチ
機器利用料（円/時間）
8,800
設置場所
CR西棟1F
RO-315
プラズマCVD(PECVD)装置
CR
アルパック(CPD-1108S)
機能及び仕様
SiO2，SiN薄膜の堆積
対応ウェハ
2 インチ、カットウェハ
機器利用料（円/時間）
8,800
設置場所
CR西棟1F
RO-316
ICP – CVD装置
アユミ工業
機能及び仕様
アモルファスシリコン膜、アモルファスゲルマニウム膜の成膜
対応ウェハ
4 インチ以下
機器利用料（円/時間）
8,800
設置場所
C1棟
RO-317
CCP – CVD装置
アユミ工業
機能及び仕様
n型アモルファスシリコン膜の成膜
対応ウェハ
4 インチ以下
機器利用料（円/時間）
8,800
設置場所
C1棟
RO-318
リモートPECVD装置
アユミ工業
機能及び仕様
SiO2，SiNx膜等の絶縁膜の成膜
対応ウェハ
4 インチ以下
機器利用料（円/時間）
11,000
設置場所
C1棟
RO-321
スパッタ装置(Al用)
CR
エイコー
機能及び仕様
超高真空仕様,Al及びTi, TiNのスパッタが可能, DCマグネトロン（Ar, N2）
対応ウェハ
2 インチ、カットウェハ
機器利用料（円/時間）
3,850
設置場所
CR西棟1F
RO-322
スパッタ装置(汎用)
CR
エイコー
機能及び仕様
各種材料スパッタ用（3インチターゲット交換により広範な材料に対応）スパッタガス（Ar・O2・N2）
対応ウェハ
2 インチ、カットウェハ
機器利用料（円/時間）
3,850
設置場所
CR東棟1F
RO-323
スパッタ装置(Cu用)
CR
機能及び仕様
Cu成膜用，DCマグネトロン（Ar, H2）
対応ウェハ
2 インチ
機器利用料（円/時間）
3,850
設置場所
CR東棟1F
RO-324
多元スパッタ装置
CR
アルネバ(E-200S)
機能及び仕様
Ti, Ni, Nb, TiNのスパッタが可能（スパッタガス Ar・O2・N2）
対応ウェハ
2 インチ、カットウェハ
機器利用料（円/時間）
6,600
設置場所
CR東棟1F
RO-331
真空蒸着装置
CR
アルバック
機能及び仕様
抵抗加熱型の蒸着装置。２種類の材料をセットして多層膜を作成することも可能。Al、Au等。
対応ウェハ
2 インチ以下
機器利用料（円/時間）
2,200
設置場所
CR西棟地下