機器一覧

デバイス・薄膜特性評価及び観察

RO-511
プローバ
日本マイクロニクス(C-51)
機能及び仕様 解析・評価を行うためのマニュアルプローバ
機器利用料(円/時間) 2,860
設置場所 東棟4F
RO-512
半導体パラメータアナライザ
アジレント(HP4156他)
機能及び仕様 トランジスタ特性測定,電源3ユニット,最小測定電流0.1pA
機器利用料(円/時間) 3,300
設置場所 東棟4F
RO-513
LCRメータ
アジレント(HP4284他)
機能及び仕様 周波数 20Hz~1MHz 16048B
機器利用料(円/時間) 2,200
設置場所 東棟4F
RO-514
インピーダンスアナライザ
アジレント(HP4294他)
機能及び仕様 周波数 40Hz~110MHz 16048H
機器利用料(円/時間) 2,200
設置場所 東棟4F
RO-515
ホール効果測定装置 CR
ACCENT(HL5500PC)
機能及び仕様 試料の抵抗値、キャリア濃度及び移動度を測定可
機器利用料(円/時間) 3,300
設置場所 CR西棟1F
RO-521
走査電子顕微鏡(SEM) CR
日立(S-4700)
機能及び仕様 冷陰極電界放出型電子銃、最高分解能1.5nm
機器利用料(円/時間) 2,200
設置場所 CR西棟1F
RO-522
EBSD解析装置
日本電子(JSM-7100F)
機能及び仕様 EBSD測定により試料結晶面方位、結晶粒マッピング等の結晶構造解析を行う。 
機器利用料(円/時間) 11,000
設置場所 C1棟
RO-523
二次イオン質量分析装置:SIMS
アルバックファイ(SIMS6650)
機能及び仕様 Cs,Oガン装備四重極型質量分析機、一次イオン最小加速エネルギー1keV
機器利用料(円/時間) 7,700
設置場所 西棟1F
RO-524
蛍光X線分析装置(XRF) CR
リガク(ZSX-400)
機能及び仕様 金属などの組成分析
対応ウェハ 12 インチ以下
機器利用料(円/時間) 3,300
設置場所 CR西棟1F
RO-525
X線光電子分光装置(XPS) CR
クレイトスアナリティカル(ESCA-3400)
機能及び仕様 X線源:Mg Ka、電子結合エネルギー走査範囲:1150 ~ -10 eV
機器利用料(円/時間) 5,500
設置場所 CR東棟地下
RO-526
薄膜構造評価X線回析装置(XRD)
リガク(ATX-E)
機能及び仕様 角度分解能 0.0002度(2θ)
機器利用料(円/時間) 2,200
設置場所 東棟2F
RO-531
分光エリプソメーター CR
J.A. Woollam Japan(M2000-D)
機能及び仕様 測定可能最小膜厚10nm、分光波長範囲193~1000nm
機器利用料(円/時間) 2,200
設置場所 CR東棟1F
RO-532
干渉式膜厚計 CR
ナノメトリクス ジャパン(AFT 5000)
機能及び仕様 可視光及び紫外光光源,多層膜対応解析ソフト搭載。
機器利用料(円/時間) 1,100
設置場所 CR西棟1F
RO-533
原子間力顕微鏡 CR
セイコーインスツルメンツ(SPI3800)
機能及び仕様 分解能:z:0.01nm, X、Y:0.1nm, 視野:最小5nm角、最大 20μm角
機器利用料(円/時間) 2,200
設置場所 CR西棟地下
RO-534
表面段差計 CR
BRUKER(Dektak XT-E)
機能及び仕様 垂直範囲:10nm~1mm,垂直解像度:最高0.1nm
機器利用料(円/時間) 2,200
設置場所 CR東棟1F

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