機器一覧
デバイス・薄膜特性評価及び観察
RO-511
プローバ
日本マイクロニクス（C-51）
機能及び仕様
解析・評価を行うためのマニュアルプローバ
機器利用料（円/時間）
2,860
設置場所
東棟4F
RO-512
半導体パラメータアナライザ
アジレント(HP4156他)
機能及び仕様
トランジスタ特性測定，電源3ユニット，最小測定電流0.1pA
機器利用料（円/時間）
3,300
設置場所
東棟4F
RO-513
LCRメータ
アジレント(HP4284他)
機能及び仕様
周波数 20Hz～1MHz 16048B
機器利用料（円/時間）
2,200
設置場所
東棟4F
RO-514
インピーダンスアナライザ
アジレント(HP4294他)
機能及び仕様
周波数 40Hz～110MHz 16048H
機器利用料（円/時間）
2,200
設置場所
東棟4F
RO-515
ホール効果測定装置
CR
ACCENT(HL5500PC)
機能及び仕様
試料の抵抗値、キャリア濃度及び移動度を測定可
機器利用料（円/時間）
3,300
設置場所
CR西棟1F
RO-522
EBSD解析装置
日本電子(JSM-7100F)
機能及び仕様
EBSD測定により試料結晶面方位、結晶粒マッピング等の結晶構造解析を行う。
機器利用料（円/時間）
11,000
設置場所
C1棟
RO-523
二次イオン質量分析装置:SIMS
アルバックファイ(SIMS6650)
機能及び仕様
Cs,Oガン装備四重極型質量分析機、一次イオン最小加速エネルギー1keV
機器利用料（円/時間）
7,700
設置場所
西棟1F
RO-524
蛍光X線分析装置(XRF)
CR
リガク(ZSX-400)
機能及び仕様
金属などの組成分析
対応ウェハ
12 インチ以下
機器利用料（円/時間）
3,300
設置場所
CR西棟1F
RO-525
X線光電子分光装置(XPS)
CR
クレイトスアナリティカル(ESCA-3400)
機能及び仕様
X線源：Mg Kα、電子結合エネルギー走査範囲：1150 ～ -10 eV
機器利用料（円/時間）
5,500
設置場所
CR東棟地下
RO-526
薄膜構造評価X線回析装置(XRD)
リガク(ATX-E)
機能及び仕様
角度分解能 0.0002度(2θ)
機器利用料（円/時間）
2,200
設置場所
東棟2F
RO-527
走査電子顕微鏡
CR
JEOL（JSM-IM800 SHL）
機能及び仕様
ショットキｰ電界放出型電子銃、10V ~ 30kV、最高分解能0.5nm、クリーンルーム内に設置
機器利用料（円/時間）
3,300
設置場所
CR
RO-531
分光エリプソメーター
CR
J.A. Woollam Japan(M2000-D)
機能及び仕様
測定可能最小膜厚10nm、分光波長範囲193～1000nm
機器利用料（円/時間）
2,200
設置場所
CR東棟1F
RO-532
干渉式膜厚計
CR
ナノメトリクス ジャパン(AFT 5000)
機能及び仕様
可視光及び紫外光光源，多層膜対応解析ソフト搭載。
機器利用料（円/時間）
1,100
設置場所
CR西棟1F
RO-533
原子間力顕微鏡
CR
セイコーインスツルメンツ(SPI3800)
機能及び仕様
分解能：z:0.01nm, Ｘ、Ｙ：0.1nm, 視野：最小5nm角、最大 20μm角
機器利用料（円/時間）
2,200
設置場所
CR西棟地下
RO-534
表面段差計
CR
BRUKER(Dektak XT-E)
機能及び仕様
垂直範囲：10nm～1mm，垂直解像度：最高0.1nm
機器利用料（円/時間）
2,200
設置場所
CR東棟1F