機器一覧
不純物導入・各種アニール
RO-211
イオン注入装置
CR
アルバック(IM-200M)
機能及び仕様
5keV-150keV, B, As, P, Si, F, Ar, In, Sb, N, He 等注入可能
対応ウェハ
2 インチ、カットウェハ
機器利用料（円/時間）
9900
設置場所
CR西棟1F
RO-222
Rapid Thermal Anneal装置
CR
サムコ(HT-1000)
機能及び仕様
高速アニール用，昇温速度最大200℃/s（N2, O2, Ar）
対応ウェハ
2 インチ、カットウェハ
機器利用料（円/時間）
3300
設置場所
CR西棟1F
RO-223
インプラ後アニール炉
CR
東京エレクトロン(370MI- MINI)
機能及び仕様
イオン注入後の活性化アニール用，最高使用温度1050℃
対応ウェハ
2 インチ、カットウェハ
機器利用料（円/時間）
3300
設置場所
CR西棟1F
RO-224
ウェル拡散炉
CR
東京エレクトロン(370MI- MINI)
機能及び仕様
イオン注入後の活性化アニール用，最高使用温度1150℃
対応ウェハ
2 インチ、カットウェハ
機器利用料（円/時間）
3300
設置場所
CR西棟1F
RO-225
ポストメタライゼーションアニール（PMA）炉
CR
神港精機
機能及び仕様
Al電極形成後の水素アニール用，最高使用温度900℃（N2, H2）
対応ウェハ
2 インチ、カットウェハ
機器利用料（円/時間）
3300
設置場所
CR西棟1F
RO-226
燐拡散炉
CR
神港精機
機能及び仕様
リンの固相拡散，最高使用温度900℃
対応ウェハ
2 インチ、カットウェハ
機器利用料（円/時間）
3300
設置場所
CR西棟1F
RO-227
汎用熱処理装置
CR
光洋サーモシステム(KTF453N-VP)
機能及び仕様
各種材料窒素アニール用(400～1000℃)
対応ウェハ
2 インチ、カットウェハ
機器利用料（円/時間）
3300
設置場所
CR東棟1F
RO-231
連続発振レーザアニール装置（レーザ結晶化装置）
CR
自作
機能及び仕様
レーザ出力：0.24 ～ 10.0 W、レーザ径：1.15 mm×50μm (ラインビーム)、スキャン速度：0.1 ～ 10 cm/s、
対応ウェハ
2 インチ、カットウェハ
機器利用料（円/時間）
22000
設置場所
CR西棟1F