機器一覧

不純物導入・各種アニール

RO-212
高温イオン注入装置 CR
アルバック(IMX-3500)
機能及び仕様 500℃, ~200kV,Al, B, As, P, F, Ar, BF2 注入可能
対応ウェハ ~6インチ,カットウェハ
機器利用料(円/時間) 16,500
設置場所 CR
RO-222
Rapid Thermal Anneal装置 CR
サムコ(HT-1000)
機能及び仕様 高速アニール用,昇温速度最大200℃/s(N2, O2
対応ウェハ 2 インチ、カットウェハ
機器利用料(円/時間) 3,300
設置場所 CR西棟1F
RO-223
インプラ後アニール炉 CR
東京エレクトロン(370MI- MINI)
機能及び仕様 イオン注入後の活性化アニール用,最高使用温度1050℃
対応ウェハ 2 インチ、カットウェハ
機器利用料(円/時間) 3,300
設置場所 CR西棟1F
RO-224
ウェル拡散炉 CR
東京エレクトロン(370MI- MINI)
機能及び仕様 イオン注入後の活性化アニール用,最高使用温度1150℃
対応ウェハ 2 インチ、カットウェハ
機器利用料(円/時間) 3,300
設置場所 CR西棟1F
RO-225
ポストメタライゼーションアニール(PMA)炉 CR
神港精機
機能及び仕様 Al電極形成後の水素アニール用,最高使用温度900℃(N2, H2
対応ウェハ 2 インチ、カットウェハ
機器利用料(円/時間) 3,300
設置場所 CR西棟1F
RO-226
燐拡散炉 CR
神港精機
機能及び仕様 リンの固相拡散,最高使用温度900℃
対応ウェハ 2 インチ、カットウェハ
機器利用料(円/時間) 3,300
設置場所 CR西棟1F
RO-227
汎用熱処理装置 CR
光洋サーモシステム(KTF453N-VP)
機能及び仕様 各種材料窒素アニール用(400~1000℃)
対応ウェハ 2 インチ、カットウェハ
機器利用料(円/時間) 3,300
設置場所 CR東棟1F
RO-231
連続発振レーザアニール装置(レーザ結晶化装置) CR
自作
機能及び仕様 レーザ出力:0.24 ~ 10.0 W、レーザ径:1.15 mm×50μm (ラインビーム)、スキャン速度:0.1 ~ 10 cm/s、
対応ウェハ 2 インチ、カットウェハ
機器利用料(円/時間) 22,000
設置場所 CR西棟1F

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