支援実績

2018年度[平成30年度] (B) 機器利用
支援依頼機関: 広島大学
F-18-RO-0038: 単結晶シリコン薄膜を用いた繰り返し転写技術の確立とデバイス応用
2018年度[平成30年度] (B) 機器利用
支援依頼機関: 広島大学
F-18-RO-0039: ペロブスカイト太陽電池によるフレキシブル基板上の単結晶シリコンCMOS論理回路のバッテリーレス動作
2018年度[平成30年度] (B) 機器利用
支援依頼機関: 広島大学
F-18-RO-0040: SiC-MOSトランジスタのセルフアラインプロセス開発
2018年度[平成30年度] (B) 機器利用
支援依頼機関: 広島大学
F-18-RO-0041: 大気圧熱プラズマジェットによる4H-SiCウェハ中不純物の高速活性化とデバイス作製プロセスへの応用
2018年度[平成30年度] (B) 機器利用
支援依頼機関: 広島大学
F-18-RO-0042: シリコンキャップアニールを行ったn型4H-SiCのコンタクト特性に関する研究
2018年度[平成30年度] (A) 共同研究
支援依頼機関: 九州工業大学
F-18-RO-0043: 3次元パワーSoC実現に向けてのプロセス技術の開発
2018年度[平成30年度] (C) 技術代行
支援依頼機関: 岡山大学
F-18-RO-0044: 金属ナノ粒子の形成を目指した脂質膜を反応場とする化学還元法の開発
2018年度[平成30年度] (C) 技術代行
支援依頼機関: 岡山大学
F-18-RO-0046: 金属担持触媒の劣化特性と金属物性の関係の評価
2018年度[平成30年度] (B) 機器利用
支援依頼機関: 広島大学
F-18-RO-0047: バイオセンサー用酸化チタン光導波路の形成
2018年度[平成30年度] (B) 機器利用
支援依頼機関: 広島大学
F-18-RO-0048: 光バイオセンサー用途マイクロバルブの作製条件探索
2018年度[平成30年度] (C) 技術代行
支援依頼機関: 静岡大学
F-18-RO-0049: 大面積プラズモニック基板の作製
2018年度[平成30年度] (C) 技術代行
支援依頼機関: 広島大学
F-18-RO-0050: GaAs 基板上新規構造の結晶学的特性評価
2018年度[平成30年度] (C) 技術代行
支援依頼機関: 久留米工業高等専門学校
F-18-RO-0051: 有機トランジスタの試作
2018年度[平成30年度] (C) 技術代行
支援依頼機関: 島根大学
F-18-RO-0052: 特殊メタルマスクを用いたミクロン寸法半導体デバイスの形成
2018年度[平成30年度] (B) 機器利用
支援依頼機関: 広島大学
F-18-RO-0053: 金属酸化物薄膜の形成と評価
2018年度[平成30年度] (A) 共同研究
支援依頼機関: 兵庫県立大学
F-18-RO-0054: DNA Si-MOSFETの作製
2017年度[平成29年度] (B) 機器利用
支援依頼機関: 広島大学
F-17-RO-0002: 凝集鉱物の熱処理前後の構造評価
2017年度[平成29年度] (A) 共同研究
支援依頼機関: 筑波大学
F-17-RO-0003: SiN一次元フォトニック結晶導波路と分子鋳型ポリマーの融合による新規バイオセンサの開発
2017年度[平成29年度] (C) 技術代行
支援依頼機関: ローム(株)
F-17-RO-0004: 酸化膜の深さ方向組成分析
2017年度[平成29年度] (C) 技術代行
支援依頼機関: 東京医科歯科大学
F-17-RO-0005: 電子線励起イオンセンサデバイスの製作
2017年度[平成29年度] (B) 機器利用
支援依頼機関: 広島大学
F-17-RO-0006: 微生物を分離培養する新規なデバイスの開発
2017年度[平成29年度] (B) 機器利用
支援依頼機関: 広島大学
F-17-RO-0007: 低温成長ⅢⅤ族半導体の成長とその電気的特性の評価
2017年度[平成29年度] (B) 機器利用
支援依頼機関: 広島大学
F-17-RO-0008: X線回折法による低温成長ⅢⅤ族半導体の結晶内の欠陥評価
2017年度[平成29年度] (B) 機器利用
支援依頼機関: 広島大学
F-17-RO-0009: ホール効果測定装置による低温成長ⅢⅤ族半導体のキャリア密度温度依存性の測定
2017年度[平成29年度] (A) 共同研究
支援依頼機関: 京都工芸繊維大学
F-17-RO-0010: 高速イオンビームによるガラスの表面改質
2017年度[平成29年度] (B) 機器利用
支援依頼機関: 兵庫県立大学
F-17-RO-0011: シリコンエッチングプロセス再現性向上のためのシリコン基板表面形態の観察
2017年度[平成29年度] (A) 共同研究
支援依頼機関: 兵庫県立大学
F-17-RO-0012: イオン注入による縦型n-i-p層形成の検討
2017年度[平成29年度] (A) 共同研究
支援依頼機関: 兵庫県立大学
F-17-RO-0013: 電界効果型マイクロウォール太陽電池作製のためのsiドライエッチング
2017年度[平成29年度] (B) 機器利用
支援依頼機関: 東北学院大学
F-17-RO-0015: CLC poly-SiGe TFTの開発
2017年度[平成29年度] (E) 技術補助
支援依頼機関: 広島大学
F-17-RO-0016: Ag -TiO2ナノ粒子混合堆積膜の作製と光触媒活性の評価
2017年度[平成29年度] (B) 機器利用
支援依頼機関: 筑波大学
F-17-RO-0017: メタルアニール無SiCコンタクト抵抗低減実験
2017年度[平成29年度] (C) 技術代行
支援依頼機関: 筑波大学
F-17-RO-0018: エアホール導波路センサと分子鋳型ポリマーの融合による新規バイオセンサの開発
2017年度[平成29年度] (B) 機器利用
支援依頼機関: 広島大学
F-17-RO-0019: 硫酸還元菌を用いた凝集鉱物の電気的特性の評価
2017年度[平成29年度] (B) 機器利用
支援依頼機関: 広島大学
F-17-RO-0020: 硫酸還元菌を用いた凝集鉱物の構造評価による生成条件依存性の解明
2017年度[平成29年度] (B) 機器利用
支援依頼機関: 九州大学
F-17-RO-0021: 横型スピンバルブ素子の作製
2017年度[平成29年度] (B) 機器利用
支援依頼機関: 広島大学
F-17-RO-0022: X線回折法による固相成長InxGa1-xAsの結晶性評価
2017年度[平成29年度] (B) 機器利用
支援依頼機関: 島根大学
F-17-RO-0023: 多結晶シリコン薄膜トランジスタ作製のためのイオン注入
2017年度[平成29年度] (B) 機器利用
支援依頼機関: 島根大学
F-17-RO-0024: SI膜およびAI膜の堆積速度測定
2017年度[平成29年度] (C) 技術代行
支援依頼機関: 筑波大学
F-17-RO-0026: スパッタ法で形成した薄膜太陽電池材料の組成比制御
2017年度[平成29年度] (B) 機器利用
支援依頼機関: 広島大学
F-17-RO-0027: Nd:YVO4レーザーで表面処理したポリエーテルエーテルケトン(PEEK)の表面性状の解析
2017年度[平成29年度] (B) 機器利用
支援依頼機関: 山口大学
F-17-RO-0029: レーザー照射による太陽電池の特性改善技術の開発
2017年度[平成29年度] (B) 機器利用
支援依頼機関: 広島大学
F-17-RO-0030: 低温成長GaAs系半導体混晶の導電性制御
2017年度[平成29年度] (B) 機器利用
支援依頼機関: 広島大学
F-17-RO-0031: 高い伝導性を有する酸化亜鉛透明膜の合成
2017年度[平成29年度] (B) 機器利用
支援依頼機関: 九州大学
F-17-RO-0032: スピンバルブ素子創製のためのナノダイヤモンド膜の2次イオン質量分析
2017年度[平成29年度] (C) 技術代行
支援依頼機関: 広島大学
F-17-RO-0033: フォトクロミック粒子薄膜のラザフォード後方錯乱分光分析
2017年度[平成29年度] (A) 共同研究
支援依頼機関: 兵庫県立大学
F-17-RO-0034: SOIウエハの細線加工
2017年度[平成29年度] (A) 共同研究
支援依頼機関: 兵庫県立大学
F-17-RO-0035: DNAトランジスタのためのSi加工と低抵抗化
2017年度[平成29年度] (A) 共同研究
支援依頼機関: 兵庫県立大学
F-17-RO-0036: DNASi-MOSFETの作製
2017年度[平成29年度] (E) 技術補助
支援依頼機関: 物質・材料研究機構
F-17-RO-0037: Formation of SiN membrane on Si wafer by LPCVD
2017年度[平成29年度] (C) 技術代行
支援依頼機関: 広島大学
F-17-RO-0039: フォトクロミック粒子薄膜のX 線光電子分光分析
2017年度[平成29年度] (B) 機器利用
支援依頼機関: 広島大学
F-17-RO-0040: ハイパワー大気圧プラズマジェットを用いた急速熱処理によるSiCウェハ中の不純物の活性化率の向上
2017年度[平成29年度] (B) 機器利用
支援依頼機関: 広島大学
F-17-RO-0041: シリコンキャップアニールを用いたn型4H-SiCのオーミックコンタクト特性に対する昇温レートの影響
2017年度[平成29年度] (B) 機器利用
支援依頼機関: 広島大学
F-17-RO-0042: メニスカスカを用いたSOI膜の転写におけるフレキシブル基盤上での単結晶シリコンCMOS回路の作製プロセスの構築
2017年度[平成29年度] (B) 機器利用
支援依頼機関: 広島大学
F-17-RO-0043: 中空構造SOI層の低温転写技術を用いたフローティングゲートメモリ作製プロセス技術に関する研究
2017年度[平成29年度] (B) 機器利用
支援依頼機関: 広島大学
F-17-RO-0044: ワイドギャップ半導体デバイス作製のためのドライエッチング加工
2017年度[平成29年度] (B) 機器利用
支援依頼機関: 広島大学
F-17-RO-0045: Si基盤とワイドギャップ半導体基板の貼り合わせ技術
2017年度[平成29年度] (B) 機器利用
支援依頼機関: 広島大学
F-17-RO-0046: ナノスケールチャネルを有するTFT作製のためのpoly-Si加工
2017年度[平成29年度] (B) 機器利用
支援依頼機関: 広島大学
F-17-RO-0047: 不純物原子のイオン打ち込みによる化合物半導体の欠陥導入制御
2017年度[平成29年度] (C) 技術代行
支援依頼機関: 埼玉大学
F-17-RO-0048: 超伝導ナノワイヤ光子数検出器を用いた蛍光相関分光システム
2017年度[平成29年度] (A) 共同研究
支援依頼機関: 琉球大学
F-17-RO-0049: 幹細胞を大量に培養する基材の開発
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